晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個(gè)無塵室，為何需要無塵室？
何謂半導(dǎo)體?
答：半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料 與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場(chǎng)來控制其之導(dǎo)電性。
答：硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa)，碳化硅，氮化鎵...答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大規(guī)模集成電路。
在半導(dǎo)體工業(yè)中，作為絕緣層材料通常稱什幺？
薄膜區(qū)機(jī)臺(tái)主要的功能為何
何謂 CVD(Chemical Vapor Dep.)
答：CVD 是一種利用氣態(tài)的化學(xué)源材料在晶圓表面產(chǎn)生化學(xué)沉積的制程
答：PE-CVD(電漿增強(qiáng)型)及 Thermal-CVD(熱耦式)
何謂 PMD(Pre-Metal Dielectric)
答：稱為金屬沉積前的介電質(zhì)層，其界于多晶硅與第一個(gè)金屬層的介電質(zhì)
何謂 IMD(Inter-Metal Dielectric)
答：未摻雜的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)
答：摻雜氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)
答：摻雜硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)
答：Tetraethoxysilane 用途為沉積二氧化硅
在常溫時(shí)是以何種形態(tài)存在?
其 K 值為 3.9 表示何義
答：表示二氧化硅的介電質(zhì)常數(shù)為真空的 3.9 倍
氟在 CVD 的工藝上，
答：作為清潔反應(yīng)室(Chamber)用之化學(xué)氣體
簡(jiǎn)述 Endpoint detector 之作用原理.
答：clean 制程時(shí),利用生成物或反應(yīng)物濃度的變化,因其特定波長(zhǎng)光線被 detector 偵測(cè) 到強(qiáng)度變強(qiáng)或變?nèi)?當(dāng)超過某一設(shè)定強(qiáng)度時(shí),即定義制程結(jié)束而該點(diǎn)為 endpoint.
答：有不銹鋼制(Stainless Steal),黃銅制(Brass),塑膠制(PVC),特氟隆制(Teflon)四種.
機(jī)器維修時(shí)要放置停機(jī)維修告示牌目的為何?
答：告知所有的人勿操作機(jī)臺(tái)，避免危險(xiǎn)
機(jī)臺(tái)維修至少兩人配合，
答：幫忙拆卸重物，并隨時(shí)警戒可能的意外發(fā)生
更換過任何氣體管路上的零件之后，一定要做何動(dòng)作?
維修尚未降至室溫之反應(yīng)室(Chamber)，應(yīng)配帶何種手套
答：石棉材質(zhì)之防熱手套并宜在 80 攝式度下始可動(dòng)作
答：半導(dǎo)體業(yè)通常用 Torr 作為真空的壓力單位,一大氣壓相當(dāng) 760Torr,低于 760Torr 壓力 的環(huán)境稱為真空.
答：降低反應(yīng)室(Chamber)內(nèi)的氣體密度和壓力
答：機(jī)臺(tái)上 interlock 有些屬于保護(hù)操作人員的安全,有些屬于水電氣等規(guī)格訊號(hào),用以保 護(hù)機(jī)臺(tái).
機(jī)臺(tái)設(shè)定許多 interlock 有何作用?
答：機(jī)臺(tái)上 interlock 主要避免人員操作錯(cuò)誤及防止不相關(guān)人員動(dòng)作.
ETCH
答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。
半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何?
何謂 dielectric 蝕刻(介電質(zhì)蝕刻)?
答：Oxide etch and nitride etch
半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何?
何謂濕式蝕刻
將不要的薄膜去除
答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負(fù) 離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓.
答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留
何謂 Over-etching(過蝕刻 )
答：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真（dummy） 晶圓 進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。
功用為何?
列舉目前
答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 何謂 Spin Dryer
答：利用 IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除
測(cè) Particle 時(shí),使用何種測(cè)量?jī)x器?
測(cè)蝕刻速率時(shí),使用何者量測(cè)儀器?
測(cè)量膜厚差值
答：After Etching Inspection
蝕刻后的檢查 AEI 目檢 Wafer 須檢查哪些項(xiàng)目:
答：(1) 正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及 Particle (3)刻號(hào)是否正確
金屬蝕刻機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺(tái)時(shí)應(yīng)如何處理?
金屬蝕刻機(jī)臺(tái) asher 的功用為何?
金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗?
答：因?yàn)榻饘倬€會(huì)溶于硫酸中
"Hot Plate"機(jī)臺(tái)是什幺用途?
烘烤溫度為何?
答：90~120 度
答：Cl2, BCl3
答：SF6
何種氣體為 oxide vai/contact ETCH 主要使用氣體?
答：C4F8, C5F8, C4F6
AMP 槽的化學(xué)成份為:
UV curing 是什幺用途?
答：利用 UV 光對(duì)光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度
何謂 EMO?
作用為何?
答：當(dāng)機(jī)臺(tái)有危險(xiǎn)發(fā)生之顧慮或已不可控制,可緊急按下
濕式蝕刻門上貼有那些警示標(biāo)示?
答：(1) 警告.內(nèi)部有嚴(yán)重危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開此門 (2) 機(jī)械手臂危險(xiǎn). 嚴(yán)禁打開此門 (3) 化 學(xué)藥劑危險(xiǎn). 嚴(yán)禁打開此門
遇化學(xué)溶液泄漏時(shí)應(yīng)如何處置?
答：嚴(yán)禁以手去測(cè)試漏出之液體. 應(yīng)以酸堿試紙測(cè)試. 并尋找泄漏管路.
遇 IPA 槽著火時(shí)應(yīng)如何處置??
答：立即關(guān)閉 IPA 輸送管路并以機(jī)臺(tái)之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組
BOE 槽之主成份為何?
答：Buffered Oxide Etcher 。
答：當(dāng)有毒氣體外泄時(shí)可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出
電漿的頻率一般 13.56 MHz,為何不用其它頻率?
答：為避免影響通訊品質(zhì) , 目前只開放特定頻率 , 作為產(chǎn)生電漿之用 , 如 380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz 等
何謂 ESC(electrical static chuck)
將 Wafer 固定在極板 (Substrate) 上 Asher 主要?dú)怏w為
機(jī)臺(tái)進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何?
熱交換器(HEAT EXCHANGER)之功用為何？
答：將熱能經(jīng)由介媒傳輸,以達(dá)到溫度控制之目地
簡(jiǎn)述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理？
答：藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性,能將芯片上之溫度均勻化
答：搜尋 notch 邊,使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定,可追蹤問題
答：偵測(cè)蝕刻終點(diǎn);End point detector 利用波長(zhǎng)偵測(cè)蝕刻終點(diǎn)答：mass flow controler 氣體流量控制器;
用于控制 反應(yīng)氣體的流量
答：氣體分配盤(gas distribution plate)
答：等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等
答：非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少
答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)
簡(jiǎn)述何謂田口式實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法?
答：利用混合變因安排輔以統(tǒng)計(jì)歸納分析
答：蝕刻過程中,所施予之功率并不會(huì)完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受,會(huì)有部份值反射 掉,此反射之量,
稱為反射功率
答：Wafers 經(jīng)由 loadlock 后再進(jìn)出反應(yīng)腔,確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉塵及濕度的 影響.
廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Bulk Gas ?
答：Bulk Gas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar 等.
何謂 Inert Gas?
答：Inert Gas 為一些特殊無強(qiáng)烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.
廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Toxic Gas ?
答：Toxic Gas 為具有強(qiáng)烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.
機(jī)臺(tái)維修時(shí),異常告示排及機(jī)臺(tái)控制權(quán)應(yīng)如何處理?
答：將告示牌切至異常且將機(jī)臺(tái)控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動(dòng)作
冷卻器的冷卻液為何功用 ?
答：利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽
何謂 RPM?
答：即 Remote Power Module,系統(tǒng)總電源箱.
答：(1) 立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下 EMO 停止機(jī)臺(tái). (4) 關(guān)閉VMB Valve 并通知廠務(wù). (5) 撤離.
偵測(cè)器警報(bào)異常處理程序
答：(1) 警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關(guān)閉 VMB 閥,并通知廠 務(wù). (4) 進(jìn)行測(cè)漏.
答：(1) 確認(rèn)安全無慮下,按 EMO 鍵(2) 確認(rèn)受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員
T/C (傳送 Transfer Chamber) 之功能為何 ?
答：提供一個(gè)真空環(huán)境, 以利機(jī)器手臂在反應(yīng)腔與晶舟間傳送 Wafer,節(jié)省時(shí)間.
機(jī)臺(tái) PM 時(shí)需佩帶面具否
防毒面具機(jī)臺(tái)停滯時(shí)間過久 run 貨前需做何動(dòng)作 ？
答：機(jī)臺(tái)日常檢點(diǎn)項(xiàng)目, 以確認(rèn)機(jī)臺(tái)狀況正常
何謂 WAC (Waferless Auto Clean)
答：無 wafer 自動(dòng)干蝕刻清機(jī)
etch rate 之目的何在?
答：因?yàn)橐g刻到多少厚度的 film,其中一個(gè)重要參數(shù)就是蝕刻率
操作酸堿溶液時(shí),應(yīng)如何做好安全措施?答：(1) 穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護(hù)目鏡(2) 操作區(qū)備有清水與水管以備不時(shí)之 需(3) 操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶
chamber 達(dá)到設(shè)定的溫度?
Chiller 之功能為何?
如何在 chamber 建立真空?
答：(1) 首先確立 chamber parts 組裝完整(2) 以 dry pump 作第一階段的真空建立(3) 當(dāng) 圧力到達(dá) 100mTＤ寺再以 turbo pump 抽真空至 1mT 以下
答：偵測(cè) chamber 的壓力,確保 wafer 在一定的壓力下 process
Transfer module 之 robot 功用為何?
答：將 wafer 傳進(jìn) chamber 與傳出 chamber 之用
何謂 MTBC? (mean time between clean)
答：上一次 wet clean 到這次 wet clean 所經(jīng)過的時(shí)間
RF Generator 是否需要定期檢驗(yàn)?
答：是需要定期校驗(yàn);若未校正功率有可能會(huì)變化;如此將影響電漿的組成
為何需要對(duì) etch chamber 溫度做監(jiān)控?
答：因?yàn)闇囟葧?huì)影響制程條件;如 etching rate/均勻度
為何需要注意 dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)?
答：因?yàn)闅鈮喝籼髸?huì)造成 pump 負(fù)荷過大;造成 pump 跳掉,影響 chamber 的壓力,直接 影響到 run 貨品質(zhì)
為何要做漏率測(cè)試? (Leak rate )
答：(1) 在 PM 后 PUMP Down 1~2 小時(shí)后;為確保 chamber Run 貨時(shí),無大氣進(jìn)入chamble 影響 chamber GAS 成份(2) 在日常測(cè)試時(shí),為確保 chamber 內(nèi)來自大氣的泄漏源,故需測(cè)漏
機(jī)臺(tái)發(fā)生 Alarm 時(shí)應(yīng)如何處理?
答：(1) 若為火警,立即圧下 EMO(緊急按鈕),并滅火且通知相關(guān)人員與主管(2) 若是一般 異常,請(qǐng)先檢查 alarm 訊息再判定異常原因,進(jìn)而解決問題,若未能處理應(yīng)立即通知主要負(fù)責(zé)人
蝕刻機(jī)臺(tái)使用的電源為多少伏特(v)?
干式蝕刻機(jī)臺(tái)分為那幾個(gè)部份?
答：(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系統(tǒng) (5) GAS system (6) RF
system
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD 量測(cè)→Overlay 量測(cè)
何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？
答：Photoresist(光阻).是一種感光的物質(zhì)，其作用是將 Pattern 從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer 上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。
答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會(huì)改變， 并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。
答：負(fù)光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會(huì)被留下，而沒有被感 光的部分則被顯影過程去除
。
答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。何謂 Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。
Photo 主要流程為何?
答：Photo 的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，顯影，Hard Bake 等。
何謂 PHOTO 區(qū)之前處理?
答：在 Wafer 上涂布光阻之前，需要先對(duì) Wafer 表面進(jìn)行一系列的處理工作，以使光阻 能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括 Bake，HDMS 等過程。其中 通過 Bake 將 Wafer 表面吸收的水分去除，然后進(jìn)行 HDMS 工作，以使 Wafer 表面更容易與 光阻結(jié)合。
答：上光阻是為了在 Wafer 表面得到厚度均勻的光阻薄膜。
光阻通過噴嘴（Nozzle）被 噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的 Wafer 表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在 Wafer 的表面。
答：上完光阻之后，要進(jìn)行 Soft Bake，其主要目的是通過 Soft Bake 將光阻中的溶劑蒸 發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時(shí)也將光阻中的殘余內(nèi)應(yīng)力釋放。
何謂曝光?
答：曝光是將涂布在 Wafer 表面的光阻感光的過程，同時(shí)將光罩上的圖形傳遞到 Wafer 上的過程。
何謂 PEB(Post Exposure Bake)?
答：PEB 是在曝光結(jié)束后對(duì)光阻進(jìn)行控制精密的 Bake 的過程。其目的在于使被曝光的 光阻進(jìn)行充分的化學(xué)反應(yīng)，以使被曝光的圖形均勻化。
何謂顯影?
答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的 Wafer 進(jìn)行成象的過程，通過這個(gè)過程，成象 在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。
何謂 Hard Bake?
答：Hard Bake 是通過烘烤使顯影完成后殘留在 Wafer 上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影 完成之后的光阻的圖形的過程。
何為 BARC?何為 TARC?它們分別的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC= Top Anti Reflective Coating. BARC 是
被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC 則是被涂布在光阻上表面的一層減少 光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光 阻的上下表面的反射，以使曝 光的大部分能量都被光阻吸收。
何謂 I-line？
答：曝光過程中用到的光，由 Mercury Lamp(汞燈)產(chǎn)生，其波長(zhǎng)為 365nm，其波長(zhǎng)較長(zhǎng)， 因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。
何謂 DUV？
答：曝光過程中用到的光，其波長(zhǎng)為 248nm，其波長(zhǎng)較短，因此曝光完成后的圖形分辨 率較好，用于較為重要的制程中。
I-line 與 DUV 主要不同處為何?
答：光源不同，波長(zhǎng)不同，因此應(yīng)用的場(chǎng)合也不同。I-Line 主要用在較落后的制程（0.35 微米以上）或者較先進(jìn)制程（0.35 微米以下）的 Non-Critical layer。DUV 則用在先進(jìn)制程的Critical layer 上。
何為 Exposure Field?
答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域 何謂 Stepper? 其功能為何?
答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為 Step by step 形式,一次曝整個(gè) exposure field,一個(gè)一個(gè)曝過去
何謂 Scanner? 其功能為何?
答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為 Scanning and step 形式, 在一個(gè) exposure field 曝光時(shí), 先 Scan 完整個(gè) field, Scan 完後再移到下一個(gè) field.
何為象差？答：代表透鏡成象的能力,越小越好. Scanner 比 Stepper 優(yōu)點(diǎn)為何？答：Exposure Field 大，象差較小 曝光最重要的兩個(gè)參數(shù)是什幺？
答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分 辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的 CD 值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時(shí)要時(shí)刻維持最佳的能量和焦距，這兩個(gè)參數(shù)對(duì)于不同的產(chǎn)品會(huì)有不同。
何為 Reticle?
答：Reticle 也稱為 Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體， 通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。
答：Pellicle 是 Reticle 上為了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上 的一層保護(hù)膜。
何為 OPC 光罩？
答：OPC (Optical Proximity Correction)為了增加曝光圖案的真實(shí)性，做了一些修正的光 罩，例如，0.18 微米以下的 Poly, Metal layer 就是 OPC 光罩。
答：PSM (Phase Shift Mask)不同于 Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都應(yīng)用在 contact layer 以及較小 CD 的 Critical layer（如 AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。
答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩,只是利用光訊 0 與 1 干涉成像,主要應(yīng)用在較不 Critical 的 layer
光罩編號(hào)各位代碼都代表什幺？
答：例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表產(chǎn)品號(hào)，00 代表 Special code,156 代表 layer,A 代表客戶版本，后一個(gè) A 代表 SMIC 版本，1 代表 FAB1，D 代表 DUV(如果是 J,則代表 I-line),A代表 ASML 機(jī)臺(tái)（如果是 C，則代表 Canon 機(jī)臺(tái)）
光罩室同時(shí)不能超過多少人在其中？
答：2 人，為了避免產(chǎn)生更多的 Particle 和靜電而損壞光罩。
存取光罩的基本原則是什幺？
答：(1) 光罩盒打開的情況下，不準(zhǔn)進(jìn)出 Mask Room,最多只準(zhǔn)保持 2 個(gè)人(2) 戴上手套
如何避免靜電破壞 Mask？
答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。
光罩 POD 和 FOUP 能放在一起嗎？它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離？
答：不能放在一起，之間至少要有 30 公分的距離，防止搬動(dòng) FOUP 時(shí)碰撞光罩 Pod 而
何謂 Track?
答：Photo 制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer 的前、后處理，Coating(上光阻)，
In-line Track 機(jī)臺(tái)有幾個(gè) Coater 槽，幾個(gè) Developer 槽？
答：均為 4 個(gè)
機(jī)臺(tái)上亮紅燈的處理流程？
答：機(jī)臺(tái)上紅燈亮起的時(shí)候表明機(jī)臺(tái)處于異常狀態(tài)，此時(shí)已經(jīng)不能 RUN 貨，因此應(yīng)該 及時(shí) Call E.E 進(jìn)行處理。若 EE 現(xiàn)在無法立即解決，則將機(jī)臺(tái)掛 DOWN。
答：Wafer Edge Exposure。由于 Wafer 邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻，因此一般不能 得到較好的圖形，而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻 peeling 而影響其它部分的圖形，因此 將 Wafer Edge 的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ?，這樣便可以消除影響。
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除 standing waves） PHOTO POLYIMIDE 所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻
答：目前正負(fù)光阻都有，SMIC FAB 內(nèi)用的為負(fù)光阻。
RUN 貨結(jié)束后如何判斷是否有 wafer 被 reject？答：查看 RUN 之前 lot 里有多少 Wafer,再看 Run 之后 lot 里的 WAFER 是否有少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機(jī)臺(tái)是否有 Reject 記錄。
何謂 Overlay? 其功能為何?
答：迭對(duì)測(cè)量?jī)x。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前 面或者后面的層的對(duì)準(zhǔn)精度，如果對(duì)準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成 整個(gè)電路不能完 成設(shè)計(jì)的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對(duì)其與前層的對(duì)準(zhǔn)精度進(jìn)行測(cè)量，如果測(cè) 量值超出要求，則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整 process condition.
答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在 Wafer 上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時(shí)曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測(cè)量 CD 的值來確定 process 的條件是否合適。
答：掃描電子顯微鏡。是一種測(cè)量用的儀器，通?？梢杂糜跍y(cè)量 CD 以及觀察圖案。
PRS 的制程目的為何？
答：PRS (Process Release Standard)通過選擇不同的條件（能量和焦距）對(duì) Wafer 曝光， 以選擇最佳的 process condition。
何為 ADI？ADI 需檢查的項(xiàng)目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過 ADI 機(jī)臺(tái)對(duì)所產(chǎn)生的圖形的 定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan
當(dāng)需要追貨的時(shí)候，是否需要將 ETCH 沒有下機(jī)臺(tái)的貨追回來？
答：需要。因?yàn)橥ǔＪ?process 出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有 ETCH 的貨追回來，否則 ETCH 之后就無法挽回?fù)p失。
PHOTO ADI 檢查的 SITE 是每片幾個(gè)點(diǎn)？
答：5 點(diǎn)，Wafer 中間一點(diǎn)，周圍四點(diǎn)。
PHOTO OVERLAY 檢查的 SITE 是每片幾個(gè)點(diǎn)？
答：20
檢查的片數(shù)一般是哪幾片？
答：#1，#6，#15，#24;
統(tǒng)計(jì)隨機(jī)的考量
答 ：RTMS (Reticle Management System)
光 罩 管 理 系 統(tǒng) 用 于 trace 光 罩 的 History,Status,Location,and Information 以便于光罩管理PHOTO 區(qū)的主機(jī)臺(tái)進(jìn)行 PM 的周期？
答：一周一次
答：(1) Particle :作為 Particle monitor 用的芯片,使用前測(cè)前需小於 10 顆(2) Chuck Particle : 作為 Scanner 測(cè)試 Chuck 平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為 Scanner Daily monitor best 的 wafer(4) CD :做為 photo 區(qū) daily monitor CD 穩(wěn)定度的 wafer(5) PRthickness :做為光阻厚度測(cè)量的 wafer(6) PDM :做為 photo defect monitor 的 wafer
當(dāng) TRACK 剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？
答：有
少量光阻當(dāng) TRACK 剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺(tái)中還有光阻嗎？
答：有
少量光阻WAFER SORTER 有讀 WAFER 刻號(hào)的功能嗎？
答：有
光刻部的主要機(jī)臺(tái)是什幺? 它們的作用是什幺?
答：光刻部的主要機(jī)臺(tái)是: TRACK(涂膠顯影機(jī)), Sanner(掃描曝光機(jī)) 為什幺說光刻技術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù)答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機(jī)就是一臺(tái)最高級(jí)的照相機(jī). 光罩上的電路圖形就是"人物". 通過對(duì)準(zhǔn),對(duì)焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈 現(xiàn)在芯片的光刻膠上, 曝光后的芯片被送回 Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠 被洗掉, 圖形就顯現(xiàn)出來了.光刻技術(shù)的英文是什幺 答：Photo Lithography常聽說的.18 或點(diǎn) 13 技術(shù)是指什幺?答：它是指某個(gè)產(chǎn)品,它的最小"CD" 的大小為 0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多, 難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數(shù).從點(diǎn) 18 工藝到點(diǎn) 13 工藝到點(diǎn)零 9. 難度在哪里? 答：難度在光刻部, 因?yàn)閳D形越來越小, 曝光機(jī)分辨率有限. 曝光機(jī)的 NA 是什幺?答：NA 是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑;是光罩對(duì)透鏡張開的角度的正玹值. 最大是 1; 先進(jìn)的曝光機(jī)的 NA 在 0.5 ---0.85 之間.曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的?答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda 是用于曝光的光波長(zhǎng);NA 是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔 徑; k1 是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù), 通常在 0.4--0.7 之間.答：減短曝光的光波長(zhǎng), 選擇新的光源; 把透鏡做大,提高 NA. 現(xiàn)在的生產(chǎn)線上, 曝光機(jī)的光源有幾種, 波長(zhǎng)多少?答：有三種: 高壓汞燈光譜中的 365nm 譜線, 我們也稱其為 I-line; KrF 激光器, 產(chǎn)生248 nm 的光; ArF 激光器, 產(chǎn)生 193 nm 的光;答：F2 激光器. 波長(zhǎng) 157nm我們可否一直把波長(zhǎng)縮短,以提高分辨率? 困難在哪里?答：不可以. 困難在透鏡材料. 能透過 157nm 的材料是 CaF2, 其晶體很難生長(zhǎng). 還未發(fā) 現(xiàn)能透過更短波長(zhǎng)的材料.答：因?yàn)榘坠庵邪?365nm 成份會(huì)使光阻曝光,所以采用黃光; 就象洗像的暗房采用暗 紅光照明.答：掃描電子顯微鏡(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也稱道 CD SEM. 用它來 測(cè)量 CD答：芯片(Wafer)被送進(jìn) Overlay 機(jī)臺(tái)中. 先確定 Wafer 的位置從而找到 Overlay MARK.這個(gè) MARK 是一個(gè)方塊 IN 方塊的結(jié)構(gòu).大方塊是前層, 小方塊是當(dāng)層;通過小方塊是否在 大方塊中心來確定 Overlay 的好壞.生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺 答：曝光機(jī);5-15 百萬美金/臺(tái) 曝光機(jī)貴在哪里?答：曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng) (它的成像系統(tǒng)由 15 到 20 個(gè)直徑在 200 300MM 的 透鏡組成.波面相位差只有最好象機(jī)的 5%. 它有精密的定位系統(tǒng)(使用激光工作臺(tái))激光工作臺(tái)的定位精度有多高? 答：現(xiàn)用的曝光機(jī)的激光工作臺(tái)定位的重復(fù)精度小于 10nm曝光機(jī)是如何保證 Overlay<50nm答：曝光機(jī)要保證每層的圖形之間對(duì)準(zhǔn)精度<50nm. 它首先要有一個(gè)精準(zhǔn)的激光工作臺(tái), 它把 wafer 移動(dòng)到準(zhǔn)確的位置. 再就是成像系統(tǒng),它帶來的圖像變形<35nm.在 WAFER 上, 什幺叫一個(gè) Field?答：光罩上圖形成象在 WAFER 上, 最大只有 26X33mm 一塊(這一塊就叫一個(gè) Field),激 光工作臺(tái)把 WAFER 移動(dòng)一個(gè) Field 的位置，再曝一次光，再移動(dòng)再曝光。直到覆蓋整片WAFER。所以，一片 WAFER 上有約 100 左右 Field.
答：一個(gè) Die 也叫一個(gè) Chip;它是一個(gè)功能完整的芯片。一個(gè) Field 可包含多個(gè) Die;
為什幺曝光機(jī)的綽號(hào)是“印鈔機(jī)”
答：曝光機(jī) 很貴；一天的折舊有 3 萬-9 萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產(chǎn)能,它一天可產(chǎn)出 1600 片 WAFER。
Track 和 Scanner 內(nèi)主要使用什幺手段傳遞 Wafer：
答：機(jī)器人手臂(robot), Scanner 的 ROBOT 有真空(VACCUM)來吸住 WAFER. T
RACK 的 ROBOT 設(shè)計(jì)獨(dú)特, 用邊緣 HOLD WAFER.可否用肉眼直接觀察測(cè)量 Scanner 曝光光源輸出的光
答：絕對(duì)禁止;強(qiáng)光對(duì)眼睛會(huì)有傷害
為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有 Scanner 應(yīng)用 Foundation(底座)
答：Scanner 曝光對(duì)穩(wěn)定性有極高要求(減震)
近代光刻技術(shù)分哪幾個(gè)階段?
答：從 80’S 至今可分 4 階段:它是由曝光光源波長(zhǎng)劃分的;高壓水銀燈的 G-line(438nm), I-line(365nm); excimer laser KrF(248nm),
ArF laser(193nm)
答：CD >0.35um 以上的圖層(LAYER)
KrF scanner 的工作范圍是多少?
答：CD >0.13um 以上的圖層(LAYER)
ArF scanner 的工作范圍是多少?
答：CD >0.08um 以上的圖層(LAYER)
什幺是 DUV SCANNER
答：DUV SCANNER 是 指所用光源為Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外線．即現(xiàn)用的 248nm,193nm
ScannerScanner 在曝光中可以達(dá)到精確度宏觀理解：
答：Scanner 是一個(gè)集機(jī)，光，電為一體的高精密機(jī)器；為控制 iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和 Wafer 的運(yùn)動(dòng)要保持很高的同步性．在 250nm/秒的掃描曝光時(shí)，兩者同步位 置<10nm．相當(dāng)于兩架時(shí)速 1000 公里／小時(shí)的波音 747 飛機(jī)前后飛行，相距小于 10 微米
答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時(shí)，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜 5mm 的地方覆蓋一 極薄的透明膜（叫 pellicle），保護(hù)鉻膜不受外界污染.
為什幺不能攜帶普通紙
答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會(huì)產(chǎn)生大量微小塵埃（particle）．進(jìn)cleanroom 要帶專用的 Cleanroom Paper.
答：芯片(Wafer)被送進(jìn) CD SEM 中. 電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光 阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同; 處理此信號(hào)可的圖像.對(duì)圖像進(jìn)行測(cè)量得 CD.
答：DOF 也叫 Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似. 光罩上圖形會(huì)在透鏡的另一 側(cè)的某個(gè)平面成像, 我們稱之為像平面 (Image Plan), 只有將像平面與光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰圖形. 當(dāng)離開一段距離后, 圖像模糊. 這一可清晰成像的距離叫 DOF曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形有兩個(gè)作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應(yīng)，被吃掉．去除光阻后，就會(huì)有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當(dāng)例子注 入的模板．
答：光阻種類有很多．可根據(jù)它所適用的曝光波長(zhǎng)分為 I-line 光阻,KrF 光阻和 ArF 光阻
光阻層的厚度大約為多少？
答：光阻層的厚度與光阻種類有關(guān)．I-line 光阻最厚，0.7um to 3um. KrF 光阻 0.4-0.9um. ArF 光阻 0.2-0.5um.
答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠度有關(guān)．
哪些因素影響光阻厚度的均勻度？
答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越均勻，與旋轉(zhuǎn)加減速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)．
當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理
答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它 提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療
根據(jù)工藝需求排氣分幾個(gè)系統(tǒng)?
答：分為一般排氣（General）、酸性排氣（Scrubbers）、堿性排氣（Ammonia）和有機(jī) 排氣（Solvent） 四個(gè)系統(tǒng)。
答：使循環(huán)空氣能流通 ，不起塵，保證潔凈房?jī)?nèi)的潔凈度; 防靜電；便于 HOOK-UP。
離子發(fā)射系統(tǒng)作用
答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電答：Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-LineOS1 L3 OS1 L4 testing
Class 1000
答：是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測(cè)試機(jī)臺(tái)在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力(真空度大于 80 kpa)和流量，每 天 24 小時(shí)運(yùn)行什幺是 MAU(Make Up Air Unit),
新風(fēng)空調(diào)機(jī)組作用
答：提供潔凈室所需之新風(fēng)，對(duì)新風(fēng)濕度，溫度，及潔凈度進(jìn)行控制，維持潔凈室正壓
答：HV(House Vacuum)系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源， 其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，打 開運(yùn)轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運(yùn)用可減低清潔時(shí)的污染。
Filter Fan Unit System(FFU)作用
答：FFU 系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和潔凈度，由 Fan 和 Filter(ULPA)組成。
什幺是 Clean Room 潔凈室系統(tǒng)
答：潔凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機(jī)臺(tái)設(shè)備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等Clean room spec:標(biāo)準(zhǔn)
答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo: 45%± 3% )Class 100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s ± 0.08m/sFab 內(nèi)的 safety shower 的日常維護(hù)及使用監(jiān)督由誰來負(fù)責(zé)
答：Fab 內(nèi)的 Area Owner（若出現(xiàn)無水或大量漏水等可請(qǐng)廠務(wù)水課（19105）協(xié)助）
工程師在正常跑貨用純水做 rinse 或做機(jī)臺(tái)維護(hù)時(shí)，要注意不能有酸或有機(jī)溶劑（如 IPA等）進(jìn)入純水回收系統(tǒng)中，這是因?yàn)椋?/span>
答：酸會(huì)導(dǎo)致 conductivity(導(dǎo)電率)升高，有機(jī)溶劑會(huì)導(dǎo)致 TOC 升高。兩者均會(huì)影響并 降低純水回收率。若在 Fab 內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，
應(yīng)如何處理或通報(bào)
答：先檢查是否為機(jī)臺(tái)漏水或做 PM 所致，若為廠務(wù)系統(tǒng)則通知廠務(wù)中控室（12222） 機(jī)臺(tái)若因做 PM 或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等
應(yīng)首先如何通報(bào)
答：通知廠務(wù)主系統(tǒng)水課的值班（19105）
廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路?
答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內(nèi)襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不琇鋼管
drain 管有接錯(cuò)或排放成分分類有誤，將會(huì)導(dǎo)致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題?
答：將會(huì)導(dǎo)致后端處理的主系統(tǒng)相關(guān)指標(biāo)處理不合格，從而可能導(dǎo)致公司排放口超標(biāo)排
公司做水回收的意義如何?
答：(1) 節(jié)約用水，降低成本。重在環(huán)保。(2) 符合 ISO 可持續(xù)發(fā)展的精神和公司環(huán)境 保護(hù)暨安全衛(wèi)生政策。
何種氣體歸類為特氣(Specialty Gas)?
答：SiH2Cl2
何種氣體由 VMB Stick 點(diǎn)供到機(jī)臺(tái)?
答：SiH4
何種氣體具有腐蝕性?
答：ClF3
當(dāng)機(jī)臺(tái)用到何種氣體時(shí)，須安裝氣體偵測(cè)器?
答：PH3
名詞解釋 GC, VMB, VMP
答：GC- Gas Cabinet 氣瓶柜 VMB- Valve Manifold Box 閥箱，適用于危險(xiǎn)性氣體。VMP-Valve Manifold Panel 閥件盤面，適用于惰性氣體。
標(biāo)準(zhǔn)大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時(shí)人體會(huì)感覺不適？答：21%19%
什幺是氣體的 LEL? H2 的 LEL 為多少？
答：LEL- Low Explosive Level 氣體爆炸下限 H2 LEL- 4%.
當(dāng) FAB 內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級(jí)警報(bào)（既 Leak HiHi），氣體警報(bào)燈（LAU）會(huì)如何動(dòng)作？FAB 內(nèi)工作人員應(yīng)如何應(yīng)變？
答：LAU 紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從 ERC 廣播命令，立刻疏散?；瘜W(xué)供應(yīng)系統(tǒng)中的化學(xué)物質(zhì)特性為何?
答：(1) Acid/Caustic 酸性/腐蝕性(2) Solvent 有機(jī)溶劑(3) Slurry 研磨液 有機(jī)溶劑柜的安用保護(hù)裝置為何?
答：(1) Gas/Temp. detector;氣體/溫度偵測(cè)器(2) CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器 中芯有那幾類研磨液(slurry)系統(tǒng)?
答：(1) Oxide (SiO2) (2) Tungsten (W)鵭
設(shè)備機(jī)臺(tái)總電源是幾伏特?
答：208V OR 380V
欲從事生產(chǎn)/測(cè)試/維護(hù)時(shí),如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長(zhǎng)線嗎? 答：不可以 如何選用電器器材?
答：使用電器器材需采用通過認(rèn)證之正規(guī)品牌 機(jī)臺(tái)開關(guān)可以任意分/合嗎? 答：未經(jīng)確認(rèn)不可隨意分/合任何機(jī)臺(tái)開關(guān),以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.
欲從事生產(chǎn)/測(cè)試/維護(hù)時(shí),如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長(zhǎng)線,對(duì)嗎? 答：對(duì)
假設(shè)斷路器啟斷容量為 16 安培導(dǎo)線線徑 2.5mm2,電源供應(yīng)電壓?jiǎn)蜗?220 伏特,若使用單 相 5000W 電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生何種情況?
答：斷路器跳閘 當(dāng)供電局供電中斷時(shí),人員仍可安心待在 FAB 中嗎?
答：當(dāng)供電局供電中斷時(shí),本廠因有緊急發(fā)電機(jī)設(shè)備,配合各相關(guān)監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持
FAB 之 Safety,所以人員仍可安心待在 FAB 中.
